PlayNitride setzt auf AIX G5+ C für Micro LED-Produktion

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass PlayNitride Inc. eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Herstellung von GaN-basierten (Galliumnitrid) Micro LEDs erhält. Das taiwanesische Unternehmen ist einer der Technologieführer bei Micro LED-Displays und hat kürzlich seine ersten Micro LED-basierten Display-Prototypen vorgestellt. Durch die Unterzeichnung einer Kooperationsvereinbarung werden AIXTRON und PlayNitride ihre Kräfte bündeln, um technisch und kommerziell den entscheidenden Schritt vorwärts zur Erschließung potenzieller Märkte zu ermöglichen.

Die Micro LED-Technologie steht auf der Roadmap aller führenden Display-Hersteller als Herausforderung für die bestehende Display-Technologie für Konsumgüter der nächsten Generation. Micro LED-Displays bestehen aus mikrongroßen LED-Arrays, die einzelne Subpixel-Elemente bilden. Im Vergleich zu den bestehenden LCD- und OLED-Technologien bieten Micro LED-Displays den geringsten Stromverbrauch bei gleichzeitig überlegener Pixeldichte, Kontrastverhältnis und Helligkeit. Damit eröffnen sich neue Horizonte für mobile Endgeräte sowie für Premium-TV-Displays.

PlayNitride Inc. hat sich für die AIX G5+ C entschieden, weil sie die Referenzanlage für die MOCVD-basierte Micro LED-Produktion ist. Die hochmoderne Produktionsanlage von AIXTRON bietet eine im Markt führende Homogenität der Wellenlänge, die den straffen Marktanforderungen für Micro LEDs in einer Batch-Reaktor-Umgebung mit hohem Durchsatz gerecht wird. Darüber hinaus ermöglicht die Anlage durch eine effektive In-situ-Reinigungstechnologie und das für eine hohe Ausbeute unerlässliche Transfermodul für den Kassettenbetrieb („cassette-to-cassette“) den bisher niedrigsten Defekt- und Partikelgehalt. Insgesamt ermöglicht die AIX G5+ C die führenden Produkte für blaue und grüne LEDs, die notwendig sind, um die hohen Qualitätsstandards bei Micro LED-Anwendungen zu erfüllen.

"Wir sind sehr erfreut, dass PlayNitride als einer der Hauptakteure im Markt die AIX G5+ C für die Weiterentwicklung wegweisender Micro LED-Produktionsprozesse ausgewählt hat. Wir freuen uns auf unsere Zusammenarbeit, um den Durchbruch bei der kommerziellen und technischen Nutzung von Micro LEDs für Displays zu beschleunigen. Unsere AIX G5+ C-Anlage unterstützt die Produktstrategie von PlayNitride perfekt, da sie über eine herausragende Leistungsfähigkeit in der Hochvolumenfertigung verfügt", kommentiert Dr. Bernd Schulte, Vorstand von AIXTRON.

Über PlayNitride

PlayNitride mit Sitz in Taiwan wurde im Juni 2014 gegründet, um Nitrid-basierte Materialien und Anwendungen zu erforschen und zu entwickeln. Das Unternehmen konzentriert sich nun auf GaN-basierte Micro LEDs – es vermarktet seine Technologie als PixelLED™-Displays.

Im April 2018 genehmigte das taiwanesische Ministerium für Wissenschaft und Technologie den Antrag von PlayNitride auf Errichtung einer 500 Millionen NT$ (17 Millionen US$) teuren Produktionsstätte im Hsinchu Science Park. PlayNitride beabsichtigt, in seinem neuen Werk in Hsinchu Micro LEDs, Displaymodule und Panels herzustellen.

Für weitere Informationen über PlayNitride besuchen Sie bitte die folgende Website: www.playnitride.com.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben  die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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EpiGaN erweitert Produktion von GaN-Leistungselektronik mit AIX G5+ C

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass EpiGaN eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Erhöhung der Produktionskapazität von GaN-on-Si1– und GaN-on-SiC2-Epiwafern mit großem Durchmesser bestellt hat. Das belgische Unternehmen ist spezialisiert auf GaN-on-Si- und GaN-on-SiC-basierte Materialproduktlösungen für zukunftsweisende Halbleiterbauelemente, die vor allem in der Telekommunikation, Leistungselektronik und Sensorik zum Einsatz kommen.

Die neue AIX G5+ C-Anlage von AIXTRON wird in Q1/2019 am Produktionsstandort von EpiGaN in Hasselt (Belgien) installiert und in Betrieb genommen. Die vollautomatische MOCVD-Planetenanlage verfügt über eine In-situ-Kammerreinigung und ermöglicht Konfigurationen von 8×6 Zoll- oder 5×8 Zoll-Epiwafern, die mittels eines Wafer-Transfermoduls für den Kassettenbetrieb („cassette-to-cassette“) automatisch geladen und entladen werden können.

"Die Nachfrage unserer weltweiten Kundenbasis nach GaN-Produktlösungen steigt. Unsere Hauptkunden bereiten sich auf die Markteinführung und Vergrößerung von Produkten vor, die auf unserer GaN-HF-Leistungstechnologie basieren, die für 5G-Breitbandnetzanwendungen optimiert ist. Mit der AIX G5+ C Planetenanlage von AIXTRON wird EpiGaN seine Kapazität für 150mm- und 200mm-Produktlösungen erhöhen, um die steigend Marktnachfrage zu befriedigen", sagt EpiGaN-Mitbegründerin und CEO Dr. Marianne Germain. "Die AIXTRON-Planetenanlage kombiniert exzellente Homogenität der Wafer und Run-to-Run-Leistung mit niedrigsten Betriebskosten – entscheidenden Faktoren, um unseren Kunden herausragende und leistungsfähige Produkte zum richtigen Preis anbieten zu können."

Dr. Felix Grawert, President von AIXTRON, sagt: "Wir sind überzeugt, dass die AIX G5+ C den hohen Anforderungen von EpiGaN an eine qualitativ hochwertige Massenproduktion GaN-basierter Epiwafer gerecht wird. Denn unsere Anlage erfüllt die höchsten Standards hinsichtlich Homogenität der Wafer und Partikel-Anzahl."

Erst kürzlich hat EpiGaN Versionen mit großem Durchmesser seiner HVRF (High Voltage Radio Frequency) GaN-on-Si- sowie GaN-on-SiC-Wafer-Produktfamilien auf den Markt gebracht, die auf anspruchsvolle 5G-Anwendungen zugeschnitten sind. Mit der neuen AIX G5+ C MOCVD-Anlage von AIXTRON erwartet EpiGaN eine schnelle Vergrößerung und Verbreitung seiner differenzierten Technologielösungen auf dem Weltmarkt.

1 GaN-on-Si = Galliumnitrid-auf-Silizium, 2 GaN-on-SiC = Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid

Über EpiGaN

EpiGaN wurde 2010 gegründet und bietet seinem weltweiten Kundenkreis innovative GaN-Technologie-Lösungen an. Ausgehend von der Europazentrale und dem modernen Produktionsstandort in Hasselt (Belgien) bietet das Unternehmen einen frühzeitigen Zugang zu modernster GaN/Si- und GaN/SiC-Epiwafer-Technologie für zukunftsweisende Leistungsschalter-, HF-Energie- und fortschrittliche Sensorlösungen. Die GaN-Technologie von EpiGaN ist ein Schlüsselfaktor für innovative Bauelemente in Verbrauchernetzteilen, Elektrofahrzeugen, drahtlosen Lade- und HF-Energiesystemen für Mobilfunkinfrastrukturen der nächsten Generation – 5G, IoT (Internet der Dinge) und intelligente Sensorsysteme. Das Produktspektrum reicht von anwendungsspezifischen Standard-Epiwafern mit einem Durchmesser von bis zu 200mm bis hin zu kundenspezifischen Produkten, welche die differenzierende Technologie des Unternehmens bei AlN-Barriere- und in-situ SiN-Passivierungsschichten nutzen.

Für weitere Informationen über EpiGaN nv besuchen Sie bitte unsere Website unter: www.epigan.com.

Zukunftsgerichtete Aussagen

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Plessey setzt auf AIX G5+ C MOCVD-Anlage für Produktion monolithischer GaN-auf-Si-Mikro-LED Display-Innovation

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat von Plessey Semiconductors einen Auftrag über einen AIX G5+ C Planetary Reactor® erhalten. Die MOCVD-Anlage (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition) wird Plessey‘s Produktionskapazität für Galliumnitrid-auf-Silizium-Wafer (GaN-on-Si) für zukunftsweisende Mikro-LED-Anwendungen weiter erhöhen.

Mit einem automatischen Cassette-to-Cassette (C2C)-Wafer-Transfermodul wird die neue AIXTRON-Anlage im ersten Quartal 2019 in der 25.000 m2 großen Produktionsstätte von Plessey in Plymouth (Großbritannien) installiert und in Betrieb genommen. Die AIX G5+ C MOCVD-Anlage besitzt für die Prozesskammer optional zwei verschiedene Einstellungsmöglichkeiten, die GaN-on-Si-Wafer-Konfigurationen von 8×6-Zoll und 5×8-Zoll ermöglichen. Dabei können die Wafer in einer geschlossenen Kassettenumgebung automatisch geladen und entnommen werden. Die Anlage wird eine Ergänzung zu den bestehenden MOCVD-Reaktoren des Unternehmens sein, die ebenfalls von AIXTRON stammen und über Konfigurationen von 7×6-Zoll oder 3×8-Zoll – bei manueller Beladung – verfügen.

Die Produktivität des neuen Reaktors wird durch die automatisierte Selbstreinigungstechnologie weiter erhöht, da dadurch die Anzahl von Defekten auf dem Wafer deutlich verringert wird und die Reinheit des Reaktors bei jedem Durchlauf sichergestellt ist. Zudem werden dadurch die Standzeiten für Wartungsarbeiten erheblich reduziert. Die neue Anlage bietet außerdem schnellere Aufheiz -und Abkühlraten sowie eine hohe Suszeptor-Entladetemperatur, was die Dauer der Prozesszyklen weiter verkürzt.

Die AIX G5+ C wird Plesseys umfangreichen Produktionsplan unterstützen, um die F&E-Kapazität seiner monolithischen Mikro-LEDs auf Basis seiner proprietären GaN-on-Si-Technologie zu erhöhen. Die Mikro-LEDs von Plessey bieten extrem niedrigen Stromverbrauch, hohe Helligkeit und sehr hohe Pixeldichte. Diese Technologie hat in vielen bestehenden Anwendungsbereichen, in denen aktuell herkömmliche Displaytechnologien wie LCD und OLED verwendet werden, das Potenzial für disruptive Veränderungen.

Ziel von Plessey ist es, weltweit führend in der Entwicklung innovativer Beleuchtungen für Bildprozessoren und vollflächig emittierende Mikro-LED-Displays zu werden. Die komplexen Geräte kombinieren sehr dichte RGB-Pixelanordnungen mit leistungsstarken CMOS-Backplanes, um sehr helle, stromsparende und hochauflösende Bildquellen für Head-Mounted-Displays und tragbare elektronische Geräte für Augmented Reality und Virtual Reality-Systeme zu erzeugen.

Mike Snaith, Chief Operating Officer bei Plessey, sagt: „Unsere fortgesetzte und geschätzte Beziehung zu AIXTRON ermöglicht es Plessey, seine monolithischen Mikro-LEDs schnell auf den Markt zu bringen. Um dies zu erreichen kombiniert unsere jüngste Anschaffung der AIX G5+ C Planetenanlage eine hervorragende Homogenität der Waferoberfläche mit einer exzellenten Wiederholbarkeit (run-to-run) bei niedrigsten Betriebskosten – Aspekte, die für eine effiziente Massenproduktion von GaN-on-Si-Mikro-LED-Displays entscheidend sind.“

Dr. Frank Schulte, Vice President AIXTRON Europe, sagte: „Wir sind zuversichtlich, dass die AIX G5+ C die Anforderungen von Plessey bestmöglich erfüllen wird, um den sehr strengen Vorgaben für die Mikro-LED-Produktion zu entsprechen. Die Anlage bietet produktivere Konfigurationen und erfüllt gleichzeitig die härtesten Anforderungen der Siliziumindustrie in Bezug auf Homogenität und Partikel.“

Bei der Bewältigung aller Herausforderungen in Verbindung mit der Herstellung von Mikro-LEDs, einschließlich hochvolumiger und kostengünstiger Produktionsmöglichkeiten, arbeitet Plessey aktiv mit potenziellen Kunden zusammen, um seine hochmoderne, produktionsreife Mikro-LED-Technologieplattform zu nutzen.

Über Plessey
Plessey ist ein in Großbritannien ansässiger führender Entwickler von fortschrittlichen optoelektronischen Technologielösungen. Das Unternehmen bietet die Volumenverarbeitung seiner einzigartigen und proprietären GaN-on-Silicon-Plattform für eine breite Palette optoelektronischer Bauelemente und Systeme an.

Mit Hauptsitz in Plymouth, England, betreibt Plessey hochmoderne 150 mm- und 200 mm-Waferbearbeitungsanlagen für Design, Test und Montage von Produkten sowie eine umfassende Suite von photonischen Charakterisierungs- und Anwendungslabors.

Plessey ist ein preisgekrönter Anbieter innovativer Beleuchtungen für Bildprozessoren (DMD und LCOS) und vollflächig emittierende MikroLED-Displays, die sehr dichte RGB-Pixelanordnungen mit Hochleistungs-CMOS-Backplanes kombinieren, um sehr helle, stromsparende und hochauflösende Bildquellen für Head Mounted Displays (HMDs) sowie Augmented Reality (AR) und Virtual Reality (VR) Systeme herzustellen.

Weitere Informationen und Datenblätter finden Sie unter www.plesseysemiconductors.com oder per E-Mail unter sales@plesseysemi.com. Sie können Plessey auch auf Twitter, Facebook und LinkedIn folgen.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben  die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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AIXTRON erhöht Prognose für Auftragseingang

AIXTRON SE (FWB: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat heute seine Ergebnisse für das erste Halbjahr und das zweite Quartal 2018 veröffentlicht.

Der Auftragseingang inklusive Ersatzteile und Service verbesserte sich in H1/2018 auf
EUR 154,3 Mio., was einem Anstieg von 20% gegenüber dem Vorjahr entspricht. Getrieben wird diese positive Entwicklung vor allem von der fortgesetzten Nachfrage nach MOCVD-Anlagen zur Herstellung von roten, orangefarbenen und gelben (ROY) LED sowie insbesondere nach MOCVD-Anlagen zur Herstellung von Lasern wie oberflächen- (VCSEL, Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) oder kantenemittierende Lasern (EEL, Edge Emitting Laser) für Anwendungen in der 3D-Sensorik oder der optischen Datenübertragung.

Der Anlagen-Auftragsbestand erhöhte sich zum 30. Juni 2018 auf EUR 138,3 Mio., ein Anstieg von 48% gegenüber dem Vorjahreswert und von 20% gegenüber dem Wert zum
31. März 2018.

Die Umsatzerlöse in H1/2018 stiegen im Jahresvergleich um 3% auf EUR 117,6 Mio. Sequenziell gingen sie in Q2/2018 aufgrund der mit den Kunden vereinbarten, planmäßigen Terminierung der Auslieferungen auf EUR 55,2 Mio. zurück.

Bruttogewinn und Bruttomarge verbesserten sich in H1/2018 gegenüber dem Vorjahr auf EUR 50,6 Mio. bzw. 43%. Verglichen mit dem Vorquartal verringerte sich das Bruttoergebnis in Q2/2018 auf EUR 23,8 Mio. entsprechend der Umsatzentwicklung, während die Bruttomarge stabil bei 43% blieb. Dies lag vornehmlich an einem vorteilhaften Produkt- und Regionalmix und wurde begünstigt durch einen positiven USD/EUR Wechselkurs im zweiten Quartal.

Das Betriebsergebnis (EBIT) in H1/2018 verbesserte sich im Jahresvergleich auf
EUR 12,0 Mio. Gegenüber dem Vorquartal reduzierte sich das EBIT in Q2/2018 auf
EUR 4,1 Mio.

Das Nettoergebnis in H1/2018 stieg im Vergleich zum Vorjahr auf EUR 16,0 Mio. und war positiv beeinflusst durch die im ersten Quartal 2018 erfolgte Aktivierung von latenten Steuern in Höhe von EUR 5 Mio., die aus dem Übergang von Verlusten in der Vergangenheit hin zu erwarteten Gewinnen in 2018 resultieren.

Der Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit lag im ersten Halbjahr 2018 bei EUR -8,5 Mio. Dabei konnte der operative Cashflow in Q2/2018 in Höhe von EUR 12,5 Mio. den negativen Wert aus Q1/2018, der vor allem aus geplanten Zahlungen im Zusammenhang mit dem Verkauf der ALD/CVD Produktlinie in Q4/2017 resultierte, noch nicht vollständig ausgleichen.

Der Bestand an liquiden Mitteln stieg zum 30. Juni 2018 auf EUR 234,7 Mio. gegenüber EUR 223,2 Mio. zum 31. März 2018. Die Differenz spiegelt die die operative Leistung inklusive der erhaltenen Aufträge in Q2/2018 wider.

Geschäftsentwicklung

Umsatzerlöse und Auftragseingänge im ersten Halbjahr 2018 waren getrieben durch die anhaltende Nachfrage nach MOCVD-Anlagen zur Produktion von ROY LEDs z.B. für Displays sowie von Lasern wie z. B. oberflächenemittierende Laser (VCSEL) für Anwendungen in der 3D Sensorik und der optischen Datenübertragung.

Die Herstellungskosten in H1/2018 sanken im Jahresvergleich auf EUR 66,9 Mio. (57% der Umsatzerlöse) gegenüber EUR 85,8 Mio. (75% der Umsatzerlöse) in H1/2017. Im Vorjahreswert waren dabei insgesamt EUR 2,3 Millionen Abschreibungen für zunächst nicht weitergeführte Produktlinien enthalten. Die Verbesserung der Herstellungskosten im Verhältnis zum Umsatz spiegelt im Wesentlichen den besseren Produkt- und Regionalmix wider. Die Reduktion der Herstellungskosten in Q2/2018 gegenüber dem Vorquartal auf EUR 31,3 Mio. oder 57% der Umsatzerlöse stand im Einklang mit der Entwicklung der Umsatzerlöse.

Mit EUR 38,7 Mio. verringerten sich die Betriebsaufwendungen in H1/2018 im Vergleich zum Vorjahr um 26% (H1/2017: EUR 52,4 Mio.; enthielt Restrukturierungsaufwendungen im Zusammenhang mit Abschreibungen für zunächst nicht weitergeführte Produktlinien in Höhe von EUR 12,1 Mio.). Gegenüber dem Vorquartal erhöhten sich die Betriebsaufwendungen in Q2/2018 leicht auf EUR 19,7 Mio. aufgrund von USD/EUR Bewertungseffekten.

Bericht des Vorstands

Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE, sagt: "Die positive Entwicklung beim Auftragseingang hat sich auch im zweiten Quartal dieses Jahres fortgesetzt, so dass wir uns entschieden haben die Prognose für den Auftragseingang im Geschäftsjahr 2018 anzuheben. Die in Q2/2018 etwas niedrigeren Umsätze sind einzig auf die mit den Kunden vereinbarte, planmäßige Terminierung der Auslieferungen zurückzuführen. Die Umsätze in der zweiten Jahreshälfte werden dementsprechend höher ausfallen als im ersten Halbjahr so dass wir unsere Umsatzprognose wie geplant erreichen werden."

"Wir profitieren weiterhin von der weltweit stabilen Nachfrage nach MOCVD-Anlagen für Laseranwendungen wie VCSEL oder EEL, die besonders im Bereich der 3D-Sensorik oder der optischen Datenübertragung gefragt sind. Auch unsere MOCVD-Anlagen zur Herstellung von roten, orangefarbenen und gelben (ROY) LED werden stark nachgefragt, da sie für die Marktdurchdringung von Display-Technologien auf Basis von Fine Pitch-, Mini- und zukünftig auch Micro-LED unerlässlich sind", ergänzt Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON.

Prognose*

Ausgehend von den Ergebnissen für die ersten sechs Monate des Geschäftsjahres 2018 und der internen Einschätzung der Nachfrageentwicklung passt der Vorstand seine mit dem Geschäftsbericht abgegebene Prognose für das Geschäftsjahr 2018 an.

Demnach erwartet der Vorstand nun für das Geschäftsjahr 2018 Auftragseingänge in einer Bandbreite zwischen EUR 260 Mio. und 290 Mio. zu verzeichnen (zuvor: EUR 230 bis 260 Millionen). Es werden Umsatzerlöse von um die EUR 260 Mio. erwartet (Bandbreite zuvor: EUR 230 bis 260 Mio.). Es wird eine Bruttomarge von um die 40% (Bandbreite zuvor: 35% bis 40%) und eine EBIT Marge von um die 10% des Umsatzes erwartet (Bandbreite zuvor: 5% bis 10%). Der Vorstand erwartet, dass der operative Cashflow im Gesamtjahr positiv sein wird.

*Basierend auf dem Budgetkurs von 1,20 USD/EUR

Finanzinformationen

Die Präsentation zu den Ergebnissen des ersten Halbjahres 2018 ist unter https://www.aixtron.com/de/investoren/publikationen verfügbar. Die vollständigen Finanztabellen des Konzerns (Gewinn- und Verlustrechnung, Sonstiges Ergebnis der Periode, Bilanz, Kapitalflussrechnung sowie Entwicklung des Eigenkapitals) zu dieser Pressemitteilung sind als Teil des Halbjahresfinanzberichts H1/2018 unter https://www.aixtron.com/de/investoren/publikationen abrufbar.

Telefonkonferenz für Investoren

Im Rahmen der Veröffentlichung der Ergebnisse des ersten Halbjahres 2018 wird AIXTRON am Donnerstag, den 26. Juli 2018, um 15:00 Uhr MESZ (06:00 a.m. PDT, 09:00 EDT a.m.) eine Telefonkonferenz (in englischer Sprache) für Analysten und Investoren abhalten. Sie können sich ab 14:45 Uhr MESZ (05:45 PDT, 08:45 EDT) unter folgender Telefonnummer in die Konferenz einwählen: +49 (30) 23 25 31 411 oder +1 (862) 701-2734. Einen Audiomitschnitt oder eine Abschrift finden Sie nach der Konferenz unter https://www.aixtron.com/de/investoren/events/telefonkonferenzen/2018.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

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Changelight bestellt weitere AIXTRON-Anlagen

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, liefert zusätzliche MOCVD-Spitzentechnologie an Xiamen Changelight Co., Ltd (Changelight). Das chinesische Unternehmen erweitert damit seine Produktionskapazitäten von Arsenidphosphid-basierten roten, orangen und gelben LED (ROY LED) sowie Solarzellen um mehrere Clustersysteme des Typs AIX 2800G4-TM. Die Auslieferung der Anlagen an den Kunden erfolgt zwischen Q3/2018 und Q1/2019.

Alle Produktionssysteme verfügen über eine Wafer-Konfiguration von 15×4-Zoll, die eine maximale Ausbeute auf höchstem Qualitätsniveau ermöglicht. Aufgrund ihrer einzigartigen Produktionsleistung und der hohen Fertigungskapazitäten des automatisierten AIXTRON Planetary Batch Reactor-Konzepts, hat sich die AIX 2800G4-TM in den vergangenen Jahren als Referenzanlage für die Herstellung von ROY LED im Markt etabliert.

Jin Zhangyu, Präsident von Xiamen Changelight, sagt: „Wir nutzen die Anlagen-Technologie von AIXTRON bereits seit Jahren für die Herstellung anspruchsvoller optoelektronischer Bauelemente und haben daher großes Vertrauen in die AIX 2800G4-TM. Die herausragende Leistungsfähigkeit der Anlage in Bezug auf Homogenität der Wafer sowie ihre Effizienz im Materialverbrauch verbunden mit größtmöglicher Flexibilität und Vielseitigkeit in der Produktion werden uns dabei helfen, Changelight als einen weltweit führenden Lieferanten von ROY LED für Fine Pitch-, Mini LED- und Micro LED-Anwendungen im Markt zu positionieren.“

„AIXTRON ist der weltweit größte Anbieter von MOCVD-Anlagen für die Produktion von ROY LED und Laserdioden. Die strategische Partnerschaft mit Changelight, dem größten Kunden für Galliumarsenid-basierte MOCVD-Systeme in China, hilft uns dabei unsere führende Marktposition zu festigen und auszubauen. Wir werden Changelight auch in Zukunft tatkräftig mit unserem Know-how unterstützen und freuen auf die weitere vertrauensvolle Zusammenarbeit", sagt Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE.

Über Xiamen Changelight

Die 2006 gegründete Xiamen Changelight Co. Ltd. produziert hauptsächlich epitaktische Wafer und Chips zur Herstellung farbiger, ultraheller LED, Hochleistungssolarzellen aus Galliumarsenid sowie LED-Beleuchtungsprodukte und bietet energiesparende Beleuchtungslösungen. Der Hauptsitz von Changelight befindet sich in Xiamen (Provinz Fujian, Volksrepublik China). Derzeit besitzt das Unternehmen mehrere hundertprozentige Tochtergesellschaften sowie Holding- oder Beteiligungsgesellschaften in Xiamen, Yangzhou und anderen Orten. Darüber hinaus hat sie Büros in Shenzhen, Zhongshan und anderen Orten eingerichtet.

Weitere Informationen sind unter http://www.changelight.com.cn/index_En.aspx verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben  die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

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AIXTRON SE Hauptversammlung 2018

Die Aktionäre der AIXTRON SE (FWB: AIXA), einem weltweit führenden Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, stimmten heute für alle Beschlussvorlagen, die Vorstand und Aufsichtsrat auf der diesjährigen Hauptversammlung präsentierten.

Wichtige Beschlüsse

Dabei wurden folgende Tagesordnungspunkte von der 21. Ordentlichen Hauptversammlung der Gesellschaft beschlossen:

– Entlastung der Mitglieder des Vorstands und des Aufsichtsrats für das Geschäftsjahr 2017
– Wahl des Abschlussprüfers für Konzern und SE für das Geschäftsjahr 2018
– Billigung des Systems zur Vergütung der Mitglieder des Vorstands
– Verkleinerung des Aufsichtsrates auf fünf Mitglieder sowie Anpassung der Aufsichtsratsvergütung
– Erteilung einer neuen Ermächtigung zum Erwerb eigener Aktien
– Schaffung eines neuen Genehmigten Kapitals 2018
– Schaffung eines neuen Bedingten Kapitals 2018

Bei der Hauptversammlung im Hotel Pullman Aachen Quellenhof waren 48,9 Prozent des Grundkapitals vertreten.

Rede des Vorstands und Präsentation

Die Ausführungen der Vorstände Dr. Felix Grawert und Dr. Bernd Schulte, in dem die Ergebnisse des Geschäftsjahres 2017 und des ersten Quartals 2018 sowie die Technologien des Konzerns erläutert werden, kann ebenso wie die Präsentation zu Tagesordnungspunkt 1 der Hauptversammlung von der Homepage heruntergeladen werden: www.aixtron.com/hv.

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter http://www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Formulierungen wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Einschätzungen, Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Vorstands, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat, sich aber nicht auf solche beschränken. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

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VPEC baut Kapazitäten mit AIXTRON-Technologie aus

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, wird MOCVD-Spitzentechnologie an den langjährigen Kunden Visual Photonics Epitaxy Co. Ltd (VPEC) liefern. Der taiwanesische Halbleiterhersteller mit Spezialisierung auf Epi-Wafer-Lösungen für drahtlose und optische Bauteile, plant seine Epitaxieproduktion mit mehreren AIX 2800G4 MOCVD-Clusteranlagen auszubauen, um die weltweit wachsende Nachfrage nach verschiedenen Photonik- und Elektronikanwendungen bedienen zu können.

AIXTRON wird alle AIX 2800G4-Anlagen mit einer 8×6-Zoll-Waferkonfiguration liefern, die eine maximale Ausbeute auf dem höchsten Qualitätsniveau im Markt ermöglicht. Als Referenzanlage der Halbleiterindustrie für die Herstellung von Diodenlasern wie VCSEL (Vertical Cavity Edge Emitting Lasers) und EEL (Edge Emitting Lasers), hat sich die AIX 2800G4 aufgrund der einzigartigen Produktionsleistung und der hohen Fertigungskapazitäten des automatisierten AIXTRON Planetary Batch Reactor-Konzepts einen hervorragenden Ruf erworben

Neil Chen, Senior Vice President von VPEC, sagt: „AIXTRON ist der führende Anbieter von Massenproduktionsanlagen zur Herstellung von Materialien auf Basis von Arsenidphosphid (AsP). Als bewährte Anlage für die Großserienfertigung im Bereich der Photonik-Anwendungen liefert die AIX 2800G4 genau die herausragende Homogenität und Reproduzierbarkeit sowie Flexibilität und Vielseitigkeit, die wir als Hersteller von Epitaxie-Produkten benötigen, um die Bedürfnisse unserer anspruchsvollen Kunden bedienen zu können.“

„Angetrieben von der wachsenden Zahl von Anwendungen sowie der fortschreitenden Verbreitung der High-End-Kommunikationstechnologie, wird die Nachfrage nach optoelektronischen, AsP-basierten Bauelementen wie VCSEL oder Lasern für die Datenkommunikation weiter steigen. Auf Basis einer langjährigen und vertrauensvollen Zusammenarbeit mit VPEC freuen wir uns darauf, das Wachstum eines der führenden asiatischen Halbleiterproduzenten zu unterstützen", sagt Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE.

Über VPEC

Visual Photonics Epitaxy Co. Ltd. wurde 1996 gegründet und hat seinen Sitz in Ping-Jen City, Taiwan. Das Unternehmen bietet Lösungen für drahtlose Kommunikation, Glasfaserkommunikation und Solarzellenanwendungen. Weitere Informationen über VPEC: http://www.vpec.com.tw/… Zukunftsgerichtete

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AIXTRON mit gutem Start in 2018

AIXTRON SE (FWB: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat heute seine Ergebnisse für das erste Quartal 2018 veröffentlicht.

Der Auftragseingang inklusive Ersatzteile und Service verbesserte sich in Q1/2018 auf EUR 78,6 Mio., was einem Anstieg von 27% gegenüber dem Vorjahr und von 20% im Vergleich zum Vorquartal entspricht. Diese positive Auftragsentwicklung ist vor allem auf die fortgesetzte Nachfrage nach MOCVD-Anlagen für Laseranwendungen wie oberflächenemittierende Laser (VCSEL, Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) für 3D-Sensorik oder optische Datenübertragung zurückzuführen.

Der Anlagen-Auftragsbestand erhöhte sich zum 31. März 2018 auf EUR 114,9 Mio., ein Anstieg von 31% gegenüber dem Vorjahreswert und von 6% gegenüber dem Wert zum 31. Dezember 2017.

Die weiterhin positive Entwicklung in Auftragseingang und Auftragsbestand schlug sich auch in den Umsatzerlösen nieder, die in Q1/2018 um 16% gegenüber dem Vorjahr auf EUR 62,4 Mio. und 15% gegenüber dem Vorquartal zulegten.

Bruttogewinn und Bruttomarge verbesserten sich im ersten Quartal 2018 sowohl gegenüber dem Vorjahr als auch sequenziell.

Das Betriebsergebnis (EBIT) in Q1/2018 verbesserte sich im Jahresvergleich auf EUR 7,9 Mio.

Der Nettogewinn in Q1/2018 stieg im Vergleich zum Vorjahr auf EUR 12,3 Mio. Neben der positiven Geschäfts- und Kostenentwicklung hatte die Aktivierung von latenten Steuern in Höhe von EUR 5 Mio. (Q1/2017: 0; Q4/2017: EUR 2,3 Mio.) einen positiven Effekt.

Sowohl das Betriebsergebnis als auch der Nettogewinn in Q4/2017 waren maßgeblich beeinflusst durch positive Effekte des Verkaufs der ALD/CVD Produktlinie in Höhe von EUR 23,9 Mio.

Der Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit lag im ersten Quartal 2018 bei EUR -21,1 Mio. Diese Entwicklung ist hauptsächlich auf geplante Zahlungen im Zusammenhang mit dem Verkauf der ALD/CVD Produktlinie in Q4/2017 zurückzuführen.

Der Bestand an liquiden Mitteln inklusive kurzfristiger Finanzanlagen (Bankeinlagen mit einer Laufzeit von mindestens drei Monaten) sank zum 31. März 2018 auf EUR 223,2 Mio. gegenüber EUR 246,5 Mio. zum 31. Dezember 2017. Die Differenz ist ebenfalls hauptsächlich auf geplante Zahlungen im Zusammenhang mit der veräußerten ALD/CVD Produktlinie und gestiegene Forderungen aufgrund einer hohen Anzahl von Auslieferungen von MOCVD Systemen am Ende des Quartals zurückzuführen.

Geschäftsentwicklung

AIXTRON hat das Geschäftsjahr 2018 mit einem guten ersten Quartal eröffnet und hält für 2018 an dem Jahresziel der nachhaltigen Rückkehr zur Profitabilität fest. Die fortgesetzte Marktnachfrage nach MOCVD-Anlagen zur Produktion von VCSEL und anderen Laser-Anwendungen, ROY- und Spezial-LEDs sowie für Leistungselektronik sowie höhere Margen bei gesunkenen Kosten stützen diese Zielsetzung.

Die Herstellungskosten fielen im Jahresvergleich von EUR 40,0 Mio. in Q1/2017 auf EUR 35,6 Mio. in Q1/2018. Damit sanken die Herstellungskosten im Verhältnis zum Umsatz im ersten Quartal 2018 auf 57% (Q1/2017: 75%; Q4/2017: 61%).

Mit EUR 18,9 Mio. nahmen die Betriebsaufwendungen gegenüber dem Vorjahr um 28% ab (Q1/2017: EUR 26,4 Mio.). Im Verhältnis zum Umsatz sanken die Betriebsaufwendungen im ersten Quartal 2018 auf 30% (Q1/2017: 49%). Die Betriebsaufwendungen im Vorquartal waren maßgeblich durch positive Effekte des Verkaufs der ALD/CVD Produktlinie in Höhe von EUR 23,9 Mio. beeinflusst und sind daher nicht vergleichbar.

Bericht des Vorstands

Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE, sagt: "Wir freuen uns über den guten Start in das neue Geschäftsjahr. Q1/2018 war für AIXTRON das stärkste Auftaktquartal seit 2011. Die nochmals gestiegenen Umsätze und Auftragseingänge sowie der weiter gewachsene Auftragsbestand erlauben es uns die im Februar ausgegebene Prognose für 2018 zu bestätigen. Dabei erwarten wir sowohl Umsatz als auch EBIT nahe dem oberen Ende der entsprechenden Bandbreite. AIXTRON profitiert hier von der robusten Nachfrage nach MOCVD-Anlagen für die Opto- und Leistungselektronik sowie der erfolgreichen Neuausrichtung seines Produktportfolios."

"AIXTRON verfügt derzeit über eine sehr gute Marktposition bei Laser- und Spezial-LED-Anwendungen sowie vielversprechende Anlagen-Technologien für die Leistungselektronik. Mit unserer umfassenden Roadmap für die Technologie- und Produktentwicklung stellen wir die ständige, marktorientierte Weiterentwicklung unserer MOCVD-Anlagen für die Optoelektronik als auch die Verbesserung unseres Angebots im Bereich der Leistungselektronik sicher. Mittelfristig gehen wir davon aus, dass insbesondere die Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumkarbid erhebliches Potenzial für das Unternehmen bietet", ergänzt Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON.

Prognose

Ausgehend von den Ergebnissen für die ersten drei Monate des Geschäftsjahres 2018 und der internen Einschätzung der Nachfrageentwicklung bestätigt der Vorstand seine mit dem Geschäftsbericht abgegebene Prognose für das Geschäftsjahr 2018, wobei sowohl Umsätze als auch EBIT aufgrund des positiven Geschäftsverlaufs nahe dem oberen Ende der Prognose liegen sollen.

Für das Geschäftsjahr 2018 erwartet der Vorstand Umsatzerlöse und Auftragseingänge in einer Bandbreite zwischen EUR 230 Mio. und 260 Mio. Dabei wird mit einer Bruttomarge zwischen 35% und 40% sowie einem EBIT in Höhe von 5% bis 10% des Umsatzes gerechnet. Der operative Cashflow im Gesamtjahr 2018 soll positiv, jedoch im Vergleich zu 2017 niedriger sein.

Nähere Einzelheiten zur Jahresprognose finden Sie im Kapitel "3.1. Prognosebericht" des Geschäftsberichts 2017, der auf der Internetseite der Gesellschaft unter http://www.aixtron.com/de/investoren/finanzberichte verfügbar ist.

Finanzinformationen

Die Präsentation zu den Ergebnissen des ersten Quartals 2018 ist unter http://www.aixtron.com/de/investoren/ir-praesentationen verfügbar. Die vollständigen Finanztabellen des Konzerns (Gewinn- und Verlustrechnung, Sonstiges Ergebnis der Periode, Bilanz, Kapitalflussrechnung sowie Entwicklung des Eigenkapitals) zu dieser Pressemitteilung sind als Teil des Quartalsfinanzberichts Q1/2018 unter http://www.aixtron.com/de/investoren/finanzberichte abrufbar.

Telefonkonferenz für Investoren

Im Rahmen der Veröffentlichung der Ergebnisse des ersten Quartals 2018 wird AIXTRON am Donnerstag, den 26. April 2018, um 15:00 Uhr MESZ (06:00 a.m. PDT, 09:00 EDT a.m.) eine Telefonkonferenz (in englischer Sprache) für Analysten und Investoren abhalten. Sie können sich ab 14:45 Uhr MESZ (05:45 PDT, 08:45 EDT) unter folgender Telefonnummer in die Konferenz einwählen: +49 (30) 23 25 31 411 oder +1 (862) 701-2734. Einen Audiomitschnitt oder eine Abschrift finden Sie nach der Konferenz unter http://www.aixtron.com/de/investoren/events/telefonkonferenz.

Zukunftsgerichtete Aussagen

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AIXTRON liefert Basis-Technologie für Satelliten

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, liefert neueste MOCVD-Technologie an den deutschen Luft- und Raumfahrtzulieferer AZUR SPACE Solar Power GmbH. Die Anlage der Baureihe AIX 2800G4 mit einer Konfiguration von 8×6-Zoll ist für den weiteren Ausbau der Produktion von hocheffizienten Mehrfach-III-V Raumfahrt- und Konzentrator-Solarzellen bestimmt, die vor allem in den Solar-Paneelen von Satelliten zum Einsatz kommen. AIXTRON wird die speziell auf die Kundenbedürfnisse angepasste Anlage im zweiten Quartal 2018 ausliefern.

AZUR SPACE arbeitet bereits seit langem erfolgreich mit der Planeten-Technologie von AIXTRON. Die AIX 2800G4-Anlage folgt den Vorgängermodellen der G3-Reihe und ermöglicht die Herstellung von 6-Zoll-Epitaxie-Wafern aus Galliumarsenid (GaAs) auf Germanium (Ge). Dabei profitiert AZUR SPACE nicht nur von der herausragenden Homogenität der prozessierten Wafer, sondern auch von den wirtschaftlichen Vorteilen der AIX 2800G4 – mit maximalem Durchsatz und höchster Ausbeute bei effizientester Ressourcennutzung setzt die Anlage in der Halbleiterindustrie Maßstäbe hinsichtlich der niedrigsten Kosten pro Wafer.

Jürgen Heizmann, Geschäftsführer der AZUR SPACE, sagt: „Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt haben besondere Anforderungen hinsichtlich der Langlebigkeit und Leistungsfähigkeit von Solarzellen. Die Anlagen-Technologie von AIXTRON liefert diese Qualität. Mit Einführung der AIX 2800G4 haben wir bewusst eine sehr entscheidende, langfristige Weichenstellung vorgenommen, um auch in Zukunft wettbewerbsfähig Hochleistungssolarzellen für den Bau von Weltraumsatelliten liefern zu können.“

Dr. Bernd Schulte, Vorstand der AIXTRON SE, sagt: “Unsere AIX 2800G4-Anlage hat sich in der Halbleiterindustrie einen hervorragenden Ruf als Referenzanlage für die Produktion hochwertiger Epitaxie-Schichten für GaAs-basierte Bauelementen erworben. Wir freuen uns, AZUR SPACE als langjährigen Kunden beim Ausbau seiner Produktion weiterhin zu begleiten.”

Über Azur Space Solar Power GmbH

AZUR SPACE Solar Power GmbH ist das marktführende Unternehmen in Europa sowie weltweit führend in der Entwicklung und Produktion von Mehrfach-Solarzellen, die sowohl Anwendung in der Raumfahrt als auch in der Konzentrator-Photovoltaik auf der Erde finden. Das Unternehmen, 1964 als Teil von Telefunken gegründet, entwickelte und produzierte die Solarzellen für den ersten deutschen Satelliten AZUR, der 1969 gestartet wurde. In über 50 Jahren produzierte das Unternehmen mehr als 10 Millionen Si und 2 Millionen GaAs Solarzellen, die in über 500 Weltraumprojekten eingesetzt wurden.

Weitere Information sind im Internet verfügbar: www.azurspace.com

Zukunftsgerichtete Aussagen

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Junge Aktien mit separater ISIN/WKN aus AIXTRON Aktienoptionsprogramm

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, ermöglicht Mitarbeitern über Aktienoptionsprogramme die Möglichkeit einer Beteiligung am Grundkapital der Gesellschaft.

Gemäß den Bedingungen des Aktienoptionsprogramms 2007 können derzeit Aktienoptionen zu Ausübungspreisen zwischen EUR 4,17 und EUR 26,60 pro Aktie ausgeübt werden. Junge Aktien aus Ausübung der oben genannten Optionen sind für das Geschäftsjahr 2017 nicht dividendenberechtigt und werden bis einschließlich zum Tag der Hauptversammlung am 16. Mai 2018 unter der separaten ISIN DE000A2LQHL9, WKN A2LQHL an der Frankfurter Wertpapierbörse gehandelt.

Ergebnisverwendung

Der kumulierte Bilanzverlust des Geschäftsjahres 2017 soll auf neue Rechnung vorgetragen und für das Geschäftsjahr 2017 keine Dividende gezahlt werden.

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